一种高可靠SRAM编译器控制电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201510320613.8
IPC分类号：G11C11/413
申请日期：
2015-06-11
申请人：
北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所

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专利名称	一种高可靠SRAM编译器控制电路
申请号	CN201510320613.8	申请日期	2015-06-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-10-21	公开/公告号	CN104992723A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/413 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;3查看分类表>
申请人	北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所	申请人地址	北京市丰台区东高地四营门北路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所	当前权利人	北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
发明人	李鹏;李阳;陆时进;李建成
代理机构	中国航天科技专利中心	代理人	庞静

摘要

本发明提供一种高可靠SRAM编译器控制电路，包括存储阵列、控制电路、灵敏放大器，该SRAM编译器控制电路结构相对固定，其组成在不同容量、位宽等条件下可以重用，在这些可复用单元的基础上，通过一定的拼接得到不同配置的SRAM电路，这就是SRAM的编译，在拼接基本单元时，SRAM的可靠性会随着SRAM容量的增大而下降，主要是因为随着容量的变大，SRAM在读操作时，经过相同的放电时间，被读取单元的两条位线之间的电压差不断缩小，本发明能够消除不同配置对于SRAM读出时位线之间电压差的影响，实现高可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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