一种高温超导体纳米结构阵列的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810114986.X
IPC分类号：C30B29/22;C30B23/02;H01B12/06;B82B3/00;C23C14/08;C23C14/22
申请日期：
2008-06-16
申请人：
北京师范大学

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专利名称	一种高温超导体纳米结构阵列的制备方法
申请号	CN200810114986.X	申请日期	2008-06-16
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2008-12-10	公开/公告号	CN101319387
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/22 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;2;2;;;C;3;0;B;2;3;/;0;2;;;H;0;1;B;1;2;/;0;6;;;B;8;2;B;3;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;2;2查看分类表>
申请人	北京师范大学	申请人地址	北京市海淀区新街口外大街19号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京师范大学	当前权利人	北京师范大学
发明人	聂家财
代理机构	北京正理专利代理有限公司	代理人	王德桢

摘要

一种高温超导体纳米结构阵列的制备方法，包括如下步骤：利用脉冲激光沉积法等方法，在单晶基片上生长CeO2或YSZ缓冲层超薄膜；制得的CeO2或YSZ薄膜样品为“生长态”薄膜样品；将“生长态”薄膜样品制成带CeO2或YSZ纳米结构缓冲层的基片；在利用脉冲激光沉积法等方法在带有CeO2或YSZ纳米结构缓冲层的基片上生长高温超导薄膜。本发明提出了一套简单、可行的实验方法制备缓冲层和高温超导体纳米结构及其阵列，可实现缓冲层和高温超导体纳米结构及其阵列的可控生长。

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