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高纯度含硅产物及制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201080019119.3
  • IPC分类号:C01B31/36
  • 申请日期:
    2010-04-28
  • 申请人:
    司奥普施有限责任公司
著录项信息
专利名称高纯度含硅产物及制造方法
申请号CN201080019119.3申请日期2010-04-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-04-18公开/公告号CN102421706A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B31/36IPC分类号C;0;1;B;3;1;/;3;6查看分类表>
申请人司奥普施有限责任公司申请人地址
美国科罗拉多州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人司奥普施有限责任公司当前权利人司奥普施有限责任公司
发明人诺曼·D·希恩曼;杰罗姆·P·多尼;居伊·劳伦斯·弗雷德里克森;安东尼奥·E·布兰顿
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人李丙林;张英
摘要
诸如硅、碳化硅和氮化硅的含硅产物包含小于0.01重量百分比的总矿物质杂质和选择性确定的碳硅比。该产物衍生自包含至少3重量百分比的二氧化硅植物物质,诸如稻壳和稻草。提供了通过在受控的温度、压力和反应时间下用含水硫酸浸提含二氧化硅的植物物质以除去矿物质和金属,同时调节固定碳与二氧化硅的摩尔比,然后在受控的条件下进行热处理以产生期望的产物来制造这种高纯度含硅产物的方法。

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