发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管

发明专利有效专利

申请号：
CN201610091893.4
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/02;H01L21/02
申请日期：
2016-02-18
申请人：
圆融光电科技股份有限公司

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专利名称	发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管
申请号	CN201610091893.4	申请日期	2016-02-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-29	公开/公告号	CN105720137A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	圆融光电科技股份有限公司	申请人地址	安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	圆融光电科技股份有限公司	当前权利人	圆融光电科技股份有限公司
发明人	黄小辉;米亭亭;周德保;康建;梁旭东
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	马爽;黄健

摘要

本发明提供一种发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管，生长方法包括如下步骤：1)向反应室中通入氢气、氨气和第一金属源，生成缓冲生长层；2)向反应室通入氢气、氨气和第二金属源，缓冲生长层生长为未掺杂层；3)向反应室通入氨气、第三金属源和硅原子，生成N型重掺杂层；硅原子浓度为1×1019～1×1020个/cm3；4)向反应室中通入氮气、氨气、第四金属源、硅原子和三甲基铟，生成多量子阱层；其中，所述硅原子浓度为1×1018个/cm3；5)向反应室中通入氢气、氮气、氨气、第五金属源和镁原子，生成发光二极管外延结构。本发明的生长方法通过生成V型缺陷降低非辐射复合几率，提升二极管外延结构的发光率。

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