一种近红外光致发光薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010621929.8
IPC分类号：C09K11/88;H01L31/0296;C08L29/04;C08L39/06;C08L33/12
申请日期：
2010-12-27
申请人：
中国科学院化学研究所

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著录项信息

专利名称	一种近红外光致发光薄膜及其制备方法
申请号	CN201010621929.8	申请日期	2010-12-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-03	公开/公告号	CN102140348A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K11/88 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K11/00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料〔2〕 C09K11/08 含无机发光材料〔2〕 C09K11/88 含硒、碲或未指明的硫属元素〔4〕	IPC分类号	C;0;9;K;1;1;/;8;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;9;6;;;C;0;8;L;2;9;/;0;4;;;C;0;8;L;3;9;/;0;6;;;C;0;8;L;3;3;/;1;2查看分类表>
申请人	中国科学院化学研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北一街2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院化学研究所	当前权利人	中国科学院化学研究所
发明人	姚建年;詹传郎;曾怡
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	关畅

摘要

本发明公开了一种用于单晶硅太阳能电池的光致发光薄膜及其制备方法。该薄膜包括半导体纳米材料，所述半导体纳米材料为MxAyB1-y纳米晶或由MxAyB1-y纳米晶形成的核壳微粒，其中，M为Cd、Zn、Ag或Pb，A和B均为S、Se或Te，x为1或2，y为0或1。本发明还提供了上述薄膜的两种制备方法，既可直接将半导体纳米材料通过制膜技术制备成光致发光薄膜，也可将半导体纳米材料的前体所对应的氧化物和金属单质制备成膜，再通过原位煅烧制备成光致发光薄膜。本发明制备的光致发光薄膜可以将350-700nm的可见光转换为500-1500nm的近红外光，可较大幅度地增强单晶硅太阳能电池的光电转换效率。

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