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一种基于FRAM的大容量存储器

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201520233175.7
  • IPC分类号:G11C11/22
  • 申请日期:
    2015-04-17
  • 申请人:
    中傲智能科技(苏州)有限公司
著录项信息
专利名称一种基于FRAM的大容量存储器
申请号CN201520233175.7申请日期2015-04-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C11/22IPC分类号G;1;1;C;1;1;/;2;2查看分类表>
申请人中傲智能科技(苏州)有限公司申请人地址
江苏省苏州市工业园区仁爱路99号D612室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中傲智能科技(苏州)有限公司当前权利人中傲智能科技(苏州)有限公司
发明人陈伟;张琳
代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司代理人范晴
摘要
本实用新型公开了一种基于FRAM的大容量存储器,包括至少一片FRAM,其特征在于,所述FRAM组成阵列结构,其中地址线、数据线以总线的形式连接在一起,通过CE片选信号来使能其中某一片FRAM进行读写,每一个FRAM阵列由一个CPLD管理,FPGA对所有的CPLD进行读写控制。CPLD管理一个FRAM阵列,FPGA对所有的CPLD进行读写控制,整个存储系统对外留有虚拟SRAM接口,便于嵌入式系统进行读写操作。该存储器写入速度快且具有无限次写入寿命。

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