薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201410713290.4
IPC分类号：H01L29/786;H01L29/45;H01L29/49;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12
申请日期：
2014-11-28
申请人：
京东方科技集团股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置
申请号	CN201410713290.4	申请日期	2014-11-28
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-11	公开/公告号	CN104409516A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/786 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕 H01L29/786 薄膜晶体管〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;5;;;H;0;1;L;2;9;/;4;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司
发明人	何晓龙;张斌;曹占锋;姚琪
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	柴亮;张天舒

摘要

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法以及显示装置。该薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极；所述栅极的上方和/或下方设置有栅钝化层；所述源极和漏极的上方和/或下方设置有源漏钝化层；其中，所述栅钝化层和源漏钝化层采用铝钝化形成。该薄膜晶体管以及相应的阵列基板，采用具有较低电阻率的金属材料形成电极，且采用铝钝化形成隔离钝化层，在保持较高导电性的同时，能改善电极与相邻层的附着性，并防止形成电极或引线的材料中金属离子的扩散。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供