首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

埋入式字线的结构

发明专利无效专利

申请号：
CN200710126267.5
IPC分类号：H01L23/522
申请日期：
2007-06-26
申请人：
南亚科技股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	埋入式字线的结构
申请号	CN200710126267.5	申请日期	2007-06-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-12-31	公开/公告号	CN101335254
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人	南亚科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾桃园县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南亚科技股份有限公司	当前权利人	南亚科技股份有限公司
发明人	李宗翰;郑志浩;李中元
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

本发明公开一种埋入式字线的结构，其包括具有U形槽的半导体基底，U形栅极介电层于U形槽中、位于U形栅极介电层上的多晶硅层、位于多晶硅层之上的导电层、覆盖于导电层上的介电盖层、以及一对内部侧壁子，分别位于多晶硅层上方，并介于半导体基底与导电层之间。此种埋入式字线的结构具有小的尺寸，藉以形成凹入式沟道时，可增进半导体元件的集成度，而不致产生短沟道效应。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供