砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510086962.4
IPC分类号：H01S5/343;H01S5/00
申请日期：
2005-11-23
申请人：
中国科学院半导体研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
申请号	CN200510086962.4	申请日期	2005-11-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-30	公开/公告号	CN1972047
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/343 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕 H01S5/34 含有量子阱的或超晶格结构的，例如单量子阱激光器〔SQW-激光器〕、多量子阱激光器〔MQW-激光器〕，缓变折射率（光电）分别限制异质结构激光器〔GRINSCH-激光器〕（H01S5/36优先）〔7〕 H01S5/343 用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;4;3;;;H;0;1;S;5;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	李路;刘峰奇;刘俊岐;郭瑜;周华兵;梁凌燕;吕小晶
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上晶格匹配的下包层；步骤2：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤3：在下波导限制层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长上波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤5：在上波导限制层上生长欧姆接触层，完成砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供