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一种具有掩埋P型沟槽的高压超结MOSFET

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201620992034.8
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06
  • 申请日期:
    2016-08-30
  • 申请人:
    无锡同方微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种具有掩埋P型沟槽的高压超结MOSFET
申请号CN201620992034.8申请日期2016-08-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人无锡同方微电子有限公司申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡同方微电子有限公司当前权利人无锡同方微电子有限公司
发明人白玉明;钱振华;张海涛
代理机构常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)代理人翁斌
摘要
本实用新型公开了一种具有掩埋P型沟槽的高压超结MOSFET,属于半导体技术领域,包括低阻N型外延层,低阻N型外延层的下层设置N+衬底,低阻N型外延层顶部左、右两端均设有P柱槽,左、右两端P柱槽内均设有P柱,低阻N型外延层的上层设置高阻N型外延层,高阻N型外延层顶部的左、右两端均设置P型体区,左端P型体区与左端的P柱上下相应间隔设置,右端P型体区与右端的P柱上下相应间隔设置,高阻N型外延层的上层设置源极,本实用新型是一种有效提升器件耐压、降低初始Coss并有效缓解Coss陡变效应的缓变输出电容的高压超结器件结构。

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