在蓝宝石上生长大尺寸高质量氧化锌单晶厚膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710304214.8
IPC分类号：C30B29/16;C30B29/48;C30B25/18;H01L31/0296;H01L31/18
申请日期：
2007-12-26
申请人：
中国科学院半导体研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	在蓝宝石上生长大尺寸高质量氧化锌单晶厚膜的方法
申请号	CN200710304214.8	申请日期	2007-12-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-07-01	公开/公告号	CN101469448
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;6;;;C;3;0;B;2;9;/;4;8;;;C;3;0;B;2;5;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;9;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	何金孝;段尭;曾一平;李晋闽;王晓峰
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明是一种在蓝宝石衬底上生长大尺寸高质量氧化锌单晶厚膜的方法。该方法包括步骤：1)用醋酸锌、聚乙烯醇和去离子水配成胶体溶液；2)取表面清洁的蓝宝石衬底在去离子水中浸泡一定时间；3)用甩胶机在C面蓝宝石衬底上均匀的甩上一层醋酸锌-聚乙烯醇胶体溶液；4)胶体溶液干燥后，对其进行高温退火；5)用湿法刻蚀经过3步骤退火后的衬底，刻蚀完用去离子水漂洗，甩干；6)用金属源化学气相外延生长工艺(MVPE)在甩干后的蓝宝石衬底上生长氧化锌单晶厚膜。该方法具有工艺及设备简单、成本低和可重复性高等特点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供