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用环形照射的暗场检查系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201080033782.9
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2010-07-16
  • 申请人:
    克拉-坦科股份有限公司
著录项信息
专利名称用环形照射的暗场检查系统
申请号CN201080033782.9申请日期2010-07-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-05-23公开/公告号CN102473663A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人克拉-坦科股份有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人克拉-坦科股份有限公司当前权利人克拉-坦科股份有限公司
发明人赵国衡;M·瓦埃兹-伊拉瓦尼;S·扬;K·巴斯卡尔
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人钱孟清
摘要
使归因于样本表面粗糙度的斑点噪声最小化的暗场检查系统可包括用于在晶片上生成合成的、聚焦照射线的多个光束成形路径。每一光束成形路径可以斜角照射晶片。多个光束成形路径可形成环形照射。该环形照射可降低斑点效应,由此改进SNR。物镜可捕捉来自晶片的散射光,并且成像传感器可接收物镜的输出。由于晶片照射以斜角进行,因此物镜可具有高NA,由此改进成像传感器的光分辨率和所得信号电平。

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