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半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610066236.4
  • IPC分类号:H01L21/66;H01L21/67
  • 申请日期:
    2016-01-29
  • 申请人:
    株式会社日立国际电气
著录项信息
专利名称半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置
申请号CN201610066236.4申请日期2016-01-29
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-10-12公开/公告号CN106024659A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人株式会社日立国际电气申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社国际电气当前权利人株式会社国际电气
发明人大桥直史;高野智
代理机构北京市金杜律师事务所代理人杨宏军;李文屿
摘要
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性的偏差。具有下述工序:对在衬底上形成有多个电路结构的衬底,形成作为层合绝缘膜的一部分的第一绝缘膜的工序;对所述第一绝缘膜进行研磨的工序;对所述第一绝缘膜的膜厚分布进行测定的工序;和在研磨后的所述第一绝缘膜上形成作为所述层合绝缘膜的一部分、且与所述膜厚分布不同的膜厚分布的第二绝缘膜,对所述层合绝缘膜的膜厚进行修正的工序。

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