半导体存储装置及其设定编程控制电路和编程方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210210325.3
IPC分类号：G11C16/06;G11C16/10
申请日期：
2012-06-21
申请人：
爱思开海力士有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体存储装置及其设定编程控制电路和编程方法
申请号	CN201210210325.3	申请日期	2012-06-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-05	公开/公告号	CN103137195A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;6;;;G;1;1;C;1;6;/;1;0查看分类表>
申请人	爱思开海力士有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开海力士有限公司	当前权利人	爱思开海力士有限公司
发明人	安龙福
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	俞波;郭放

摘要

本发明公开了一种半导体存储装置及其设定编程控制电路和编程方法，所述半导体存储装置包括：编程脉冲发生模块，所述编程脉冲发生模块被配置成响应于编程使能信号而产生第一写入控制信号、第二写入控制信号以及编程完成信号；设定编程控制电路，所述设定编程控制电路被配置成响应于擦除命令和所述编程完成信号而重复产生设定编程使能信号预定的次数；以及控制器，所述控制器被配置成响应于所述擦除命令而禁止所述第一写入控制信号，并响应于所述设定编程使能信号而产生所述编程使能信号。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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