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薄膜晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210000096.2
  • IPC分类号:H01L29/786
  • 申请日期:
    2012-01-03
  • 申请人:
    鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
著录项信息
专利名称薄膜晶体管
申请号CN201210000096.2申请日期2012-01-03
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-07-03公开/公告号CN103187451A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司申请人地址
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼207室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人海宁经开产业园区开发建设有限公司当前权利人海宁经开产业园区开发建设有限公司
发明人管炜
代理机构北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)代理人魏忠晖
摘要
一种薄膜晶体管,包括基板,设置在基板上的栅极,覆盖所述栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的活性层,活性层包括沟道层,源极和漏极。源极和漏极分别设置在沟道层的相对两侧并与其对应的源极电极和漏极电极电连接。沟道层的表面依次设置有第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层。第二蚀刻阻挡层中部形成有凹槽以暴露第一蚀刻阻挡层。所述凹槽将第二蚀刻阻挡层分成第一区域和第二区域。所述源极电极从源极的表面延伸至覆盖第一区域,所述漏极电极从漏极的表面延伸至覆盖第二区域。上述结构可有效防止源极电极或漏极电极的金属原子发生扩散或电子迁移而对沟道层的导电性能造成影响,提高了其可靠性。

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