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通过非电解镀形成铜薄膜的镀件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200980130346.0
  • IPC分类号:C23C18/38;C23C28/02
  • 申请日期:
    2009-07-13
  • 申请人:
    吉坤日矿日石金属有限公司
著录项信息
专利名称通过非电解镀形成铜薄膜的镀件
申请号CN200980130346.0申请日期2009-07-13
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-06-29公开/公告号CN102112660A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C18/38IPC分类号C;2;3;C;1;8;/;3;8;;;C;2;3;C;2;8;/;0;2查看分类表>
申请人吉坤日矿日石金属有限公司申请人地址
日本东京都港区虎之门二丁目10番4号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人捷客斯金属株式会社当前权利人捷客斯金属株式会社
发明人伊藤顺一;矢部淳司;关口淳之辅;伊森彻;山越康广;仙田真一郎
代理机构北京市中咨律师事务所代理人段承恩;田欣
摘要
本发明的目的是提供一种镀件,其中,与在钨、钼等的单质金属上进行非电解镀铜的情况相比,使在大马士革铜配线等上的通过非电解镀铜形成籽晶层时的成膜均匀性和粘附性提高,进而消除在铜籽晶层成膜之前的形成阻挡层和催化剂金属层这两层的烦杂,能够进行超微细配线的形成,以薄且均匀的膜厚形成籽晶层。该镀件的特征在于,在基材上形成有包含金属B和金属A的防止铜扩散用阻挡合金薄膜,所述金属B能够与非电解镀铜液中所含的铜离子进行置换镀,并且对铜具有阻挡性,所述金属A在pH10以上的非电解镀铜液中的离子化倾向比金属B小;该防止铜扩散用阻挡合金薄膜具有所述金属A为15原子%~35原子%的组成,在其上通过使用了pH10以上的非电解镀铜液的非电解镀而形成有铜薄膜。

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