一种电流镜像电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201110422769.9
IPC分类号：G05F3/26
申请日期：
2011-12-16
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种电流镜像电路
申请号	CN201110422769.9	申请日期	2011-12-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-19	公开/公告号	CN103163933A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G05F3/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G05 控制；调节 G05F 调节电变量或磁变量的系统（调节雷达或无线电导航系统中脉冲计时或脉冲重复频率的入G01S；专用于电子计时器中电流或电压的调节入G04G 19/02；用电装置调节非电变量的闭环系统入G05D；数字计算机的调节电源入G06F1/26；用于得到有衔铁时的所需电磁铁工作特性入H01F 7/18；调节电功率的配电网络入H02J；调节电池充电的入H02J 7/00；静态变换器输出的调节，例如开关式调节器入H02M；电发生器输出的调节入H02N，H02P 9/00；变压器、电抗器、或扼流圈的控制入H02P 13/00；调节放大器的频率响应、增益、最大输出、振幅或带宽的入H03G；调节谐振电路调谐的入H03J；控制电子振荡器或脉冲发生器的入H03L；调节传输线路特性的入H04B；控制电光源的入H05B 37/02，H05B 39/04，H05B 41/36；X射线设备的电气控制入H05G 1/30）〔4，5〕 G05F3/00 应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统 G05F3/02 调节电压或电流的 G05F3/08 其中变量是直流的 G05F3/10 利用具有非线性特性的非控制器件〔4〕 G05F3/16 非控制器件是半导体器件〔3〕 G05F3/20 应用了二极管与三极管的组合（G05F 3/18优先）〔3〕 G05F3/26 电流反射镜〔4〕	IPC分类号	G;0;5;F;3;/;2;6查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	袁志勇;李兆桂
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种电流镜像电路，包括：3个PMOS管，编号为P1至P3；4个NMOS管，编号为N1至N4；电阻R1和可变电阻R2以及1个运算放大器；P1至P3源极和衬底接电源，P1至P3栅极接运算放大器输出端；P1漏极接运算放大器正相输入端和R2一端，R2另一端接地；P2漏极接N1漏极，P3漏极输出电流一；外部模块输入电流接运算放大器反相输入端，并通过电阻R1接地；N1和N2栅极接偏置电压二，N2漏极输出电流二，N3和N4栅极接偏置电压三，N1和N2源极分别接N3和N4漏极，N3和N4源极以及N1至N4衬底接地。本发明的电流镜像电路能在超低电源电压条件下产生大范围的高精度可调电流。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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