一种CuO纳米线的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010526050.5
IPC分类号：C30B25/00;C30B29/16;C30B29/60;B82Y40/00
申请日期：
2010-10-28
申请人：
中山大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种CuO纳米线的制作方法
申请号	CN201010526050.5	申请日期	2010-10-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-05-11	公开/公告号	CN102051675A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;1;6;;;C;3;0;B;2;9;/;6;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中山大学	申请人地址	广东省广州市新港西路135号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山大学	当前权利人	中山大学
发明人	李宝军;王鹏;赵新宏
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司	代理人	陈卫

摘要

本发明属于纳米材料领域，涉及一种氧化铜(CuO)纳米线的制作方法，其特征包括以下步骤：(1)将铜片进行表面清洁处理；(2)将处理好的铜片放置于石英玻璃上，随后将其置于温度在400～700℃范围内的加热电炉上，在空气中加热2～6小时生长出CuO纳米线；(3)将生长好的CuO纳米线迅速冷却至室温。本发明的方法得到的CuO纳米线具有直径均匀、长度较长，垂直于铜片基底表面有序排列的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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