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致密的二氧化硅质膜形成用组合物

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201780026971.5
  • IPC分类号:C09D183/16
  • 申请日期:
    2017-04-28
  • 申请人:
    AZ电子材料(卢森堡)有限公司
著录项信息
专利名称致密的二氧化硅质膜形成用组合物
申请号CN201780026971.5申请日期2017-04-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-12-21公开/公告号CN109072006A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09D183/16IPC分类号C;0;9;D;1;8;3;/;1;6查看分类表>
申请人AZ电子材料(卢森堡)有限公司申请人地址
卢森堡国卢森堡市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人AZ电子材料(卢森堡)有限公司当前权利人AZ电子材料(卢森堡)有限公司
发明人野岛由雄;小林政一
代理机构北京三幸商标专利事务所(普通合伙)代理人刘卓然
摘要
[目的]提供一种含聚硅氮烷的覆膜形成用组合物。为了形成具有加工性且致密的二氧化硅质膜,对该组合物进行基于二阶段转化的加工,所述二阶段转化包括:通过将聚硅氮烷组合物在朝向二氧化硅质物质的转化不充分的状态下形成表面干燥了的膜;然后接受二次加工。[手段]本发明提供一种含聚硅氮烷的覆膜形成用组合物,其包含特定的胺类化合物、聚硅氮烷化合物以及溶剂,本发明还提供一种二氧化硅质物质的形成方法,其中,将该组合物涂布于基材上,转化为二氧化硅质物质。该特定的胺类化合物具有二个胺基,在胺基中具有至少1个由苯基取代了的烃基。

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