发光模块及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201980062372.8
IPC分类号：H01L33/58;H01L33/60;H01L33/54;H01L25/075;F21S2/00;F21V5/04;F21V7/04;F21V19/00;H01L33/00;H05K3/40
申请日期：
2019-09-27
申请人：
日亚化学工业株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光模块及其制造方法
申请号	CN201980062372.8	申请日期	2019-09-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-30	公开/公告号	CN112740427A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/58 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/58 光场整形元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;0;;;H;0;1;L;3;3;/;5;4;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5;;;F;2;1;S;2;/;0;0;;;F;2;1;V;5;/;0;4;;;F;2;1;V;7;/;0;4;;;F;2;1;V;1;9;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;5;K;3;/;4;0查看分类表>
申请人	日亚化学工业株式会社	申请人地址	日本德岛县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日亚化学工业株式会社	当前权利人	日亚化学工业株式会社
发明人	龟岛由美子;凑永子;田口晃治;胜又雅昭
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	曲天佐

摘要

发光模块(100)具备基板(20)和设置于基板(20)的一面且相互邻接地设置的多个分割面发光体(10)，基板(20)具有导体部(22)、与导体部(22)接合的挠性基材部(23)、及与挠性基材部(23)接合的绝缘性基材部(21)，分割面发光体(10)具有与基板(20)的导体部(22)电连接的布线部(16)、配设于布线部(16)上的多个发光元件(15)、及将发光元件(15)密封并且与绝缘性基材部(21)相对地设置的密封部(11)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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