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稀土掺杂金属卤化物系辉尽性荧光体分相玻璃及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810058768.9
  • IPC分类号:C03C4/12;C03C3/32
  • 申请日期:
    2008-07-29
  • 申请人:
    昆明理工大学
著录项信息
专利名称稀土掺杂金属卤化物系辉尽性荧光体分相玻璃及其制备方法
申请号CN200810058768.9申请日期2008-07-29
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2008-12-24公开/公告号CN101328020
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C03C4/12IPC分类号C;0;3;C;4;/;1;2;;;C;0;3;C;3;/;3;2查看分类表>
申请人昆明理工大学申请人地址
云南省昆明市五华区学府路253号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昆明理工大学当前权利人昆明理工大学
发明人邱建备;宋志国;周大成
代理机构昆明正原专利代理有限责任公司代理人徐玲菊
摘要
本发明提供一种稀土掺杂金属卤化物系辉尽性荧光体分相玻璃及其制备方法,其特征在于其摩尔百分比组成如下:AlF3:25~40;BaF2:5~63;BaCl2:1~15;BaBr2:1~15;YF3:10~20;EuF3:0.1~1。该稀土掺杂金属卤化物系辉尽性荧光体分相玻璃是在800~1000℃氯气或者惰性气体保护下的高周波炉中融制10~45分钟,冷却后又在分相温度热处理0.5~4小时得到的,避免了固相法和液相法合成辉尽发光粉体烧结和粉碎过程中粉体形态不易控制的难题,简化了辉尽性荧光体的放射线图像存储材料的制备步骤,同时降低了制备过程中外部干扰因素的影响,增强了玻璃的中稀土离子的发光强度,同时具有快速升温和降温的特点,减少了卤素成分的挥发。

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