一种宽温稳定、高介、低损耗的MLCC介质材料及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510789902.2
IPC分类号：H01L41/187;C04B35/468;C04B35/622
申请日期：
2015-11-17
申请人：
天津大学

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专利名称	一种宽温稳定、高介、低损耗的MLCC介质材料及其制备方法
申请号	CN201510789902.2	申请日期	2015-11-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2016-01-27	公开/公告号	CN105272220A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L41/187 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L41/083 和H01L 41/087优先于H01L 41/09至H01L 41/113各组。〔6〕 H01L41/16 材料的选择〔2〕 H01L41/18 用于压电器件或电致伸缩器件的〔2〕 H01L41/187 陶瓷合成物〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;1;/;1;8;7;;;C;0;4;B;3;5;/;4;6;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	李玲霞;张博文;陈俊晓
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	张宏祥

摘要

本发明公开了一种宽温稳定、高介、低损耗的MLCC介质材料，其组成为Ba1‑xBixTi1‑x‑yZn0.75xW0.25x+yO3，其中0.20≤x≤0.30，0.015≤y≤0.02。先将ZnO、Bi2O3、WO3按摩尔比1:3/2:1/2配料，球磨、烘干后于850℃预烧，制得Bi(Zn3/4W1/4)O3粉体；再将该粉体二次球磨，烘干，过筛；以BaTiO3为基，按BaTiO3、Bi(Zn3/4W1/4)O3与WO3的摩尔比为1:0.20～0.30:0.015～0.02配料，球磨、烘干、过筛后，外加石蜡造粒，压制成生坯；生坯于1175℃～1250℃烧结，制得MLCC介质材料。本发明在‑35～375℃整个工作温区内具有较高介电常数εr≥800±15％，优异的绝缘性能ρV≥1011Ω·cm，较低的介电损耗tanδ≤0.02，是一种很有前景的多层陶瓷电容器介质材料。

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