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回流方法、图形形成方法和TFT元件的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710092234.3
  • IPC分类号:H01L21/027;H01L21/336;H01L21/84;G03F7/40;G02F1/1362
  • 申请日期:
    2007-04-02
  • 申请人:
    东京毅力科创株式会社
著录项信息
专利名称回流方法、图形形成方法和TFT元件的制造方法
申请号CN200710092234.3申请日期2007-04-02
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2007-10-03公开/公告号CN101047121
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/027IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;G;0;3;F;7;/;4;0;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2查看分类表>
申请人东京毅力科创株式会社申请人地址
日本国东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东京毅力科创株式会社当前权利人东京毅力科创株式会社
发明人麻生丰
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明提供一种在抗蚀剂的回流处理中,能够高精度地控制软化的抗蚀剂的流动方向和流动面积,因而可以应用于图形形成以及液晶显示装置用TFT元件的制造中的技术。在回流处理的抗蚀剂(103)的表面上设置有高低差,具有厚膜部(103a)以及膜厚相对薄的薄膜部(103b)。厚膜部(103a)在目标区域(S1)侧形成,薄膜部(103b)在禁止区域(S2)侧形成。厚膜部(103a)因为对稀释剂气氛的露出面积大,故软化快,超越台阶(D)而向目标区域(S1)进行流动。薄膜部(103b)由于对稀释剂气氛的露出面积比较小,所以难以进行软化,比起厚膜部(103a)来流动性不大,未到达禁止区域(S2)流动就停止。

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