掩膜版及其制备方法、显示面板

发明专利有效专利

申请号：
CN202110035362.4
IPC分类号：G03F1/32;H01L27/32
申请日期：
2021-01-12
申请人：
TCL华星光电技术有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	掩膜版及其制备方法、显示面板
申请号	CN202110035362.4	申请日期	2021-01-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-14	公开/公告号	CN112799278A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/32 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/26 相移掩膜〔PSM〕；PSM空白；其制备〔2012.01〕 G03F1/32 衰减 PSM〔att-PSM〕，例如半色调PSM或者有半透明相移部分的PSM；其制备〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;3;2;;;H;0;1;L;2;7;/;3;2查看分类表>
申请人	TCL华星光电技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TCL华星光电技术有限公司	当前权利人	TCL华星光电技术有限公司
发明人	彭钊
代理机构	深圳紫藤知识产权代理有限公司	代理人	远明

摘要

本发明提供一种掩膜版，所述掩膜版包括：衬底；遮光区，其形成于所述衬底上以遮蔽预定波段的辐射光；完全透射区，其形成于所述衬底上以完全透射所述辐射光；以及两个以上的半透射区，其形成于所述衬底上以透射部分所述辐射光；其中，所述每个半透射区各自由具有不同禁带宽度的半透射材料构成，本发明根据所述半透射材料对不同波长的辐射光具有选择性吸收的原理，通过调整所述半透射材料的禁带宽度，控制所述半透射材料对辐射光的吸收，单个掩膜版可形成多膜层的图案效果，节约了显示面板的制作成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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