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一种超级电容器电极结构及增强方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911149119.4
  • IPC分类号:H01G11/26;H01G11/86
  • 申请日期:
    2019-11-21
  • 申请人:
    杭州电子科技大学
著录项信息
专利名称一种超级电容器电极结构及增强方法
申请号CN201911149119.4申请日期2019-11-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-03-27公开/公告号CN110931263A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G11/26IPC分类号H;0;1;G;1;1;/;2;6;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6查看分类表>
申请人杭州电子科技大学申请人地址
浙江省杭州市杭州经济开发区白杨街道2号大街1158号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州电子科技大学当前权利人杭州电子科技大学
发明人郑鑫;郭筱洁;秦海英;张康;金思佳;余华;黄帅
代理机构杭州浙科专利事务所(普通合伙)代理人孙孟辉
摘要
本发明公开了一种超级电容器电极结构及增强方法,属于新能源技术领域。电容器电极材料(2)和电容器增强层(1),在电容器增强层(1)与电容器电极材料(2)之间通过压电效应形成PN结。增强方法包括以下步骤:S1:给电容器增强层(1)和电容器电极材料(2)施加电压,恒电流充电,使用时再进行放电处理;S2:充放电的同时,对电容器增强层(1)和电容器电极材料(2)施加应力,使其变形。

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