一种带有温度补偿的欠压保护电路

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201922388072.9
IPC分类号：H02H3/24
申请日期：
2019-12-26
申请人：
苏州锴威特半导体股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种带有温度补偿的欠压保护电路
申请号	CN201922388072.9	申请日期	2019-12-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02H3/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02H 紧急保护电路装置（指示或警报意外工作情况的入G01R，例如G01R 31/00，G08B；沿线测定故障位置入G01R 31/08；紧急保护装置入H01H） H02H3/00 对正常电工作情况的不希望有的变化直接响应的自动断开紧急保护电路装置，有或无事后再连接（专用于特殊类型的电机或电设备或专用于电缆或电线系统分段保护的入H02H 7/00；用于转换到备用电源的系统入H02J 9/00） H02H3/24 对欠电压或无电压响应的	IPC分类号	H;0;2;H;3;/;2;4查看分类表>
申请人	苏州锴威特半导体股份有限公司	申请人地址	江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州锴威特半导体股份有限公司	当前权利人	苏州锴威特半导体股份有限公司
发明人	罗寅;沈志伟;谭在超;丁国华;张胜
代理机构	南京众联专利代理有限公司	代理人	叶倩

摘要

本实用新型涉及一种带有温度补偿的欠压保护电路，包括二极管、齐纳管、第一至第四电阻、第一至第五MOS管、反相器，二极管的正极接电源，二极管的负极接齐纳管的负极，齐纳管的正极接第一电阻，第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一MOS管和反相器构成常规的欠压保护电路，第四电阻、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管构成对常规欠压保护电路的温度补偿电路，第五MOS管的栅极连接反相器的输出端。通过温度补偿电路对常规的欠压保护电路中的电阻和MOS管温度系数所带来的阈值变化，实现成本低，温度补偿效果明显，可极大改善温度带来的阈值点的变化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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