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磁流体填充晶体光纤环镜下温度和磁场同时检测的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310602783.6
  • IPC分类号:G01D21/02
  • 申请日期:
    2013-11-26
  • 申请人:
    沈阳工程学院
著录项信息
专利名称磁流体填充晶体光纤环镜下温度和磁场同时检测的方法
申请号CN201310602783.6申请日期2013-11-26
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-03-05公开/公告号CN103616046A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01D21/02IPC分类号G;0;1;D;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人沈阳工程学院申请人地址
辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人沈阳工程学院当前权利人沈阳工程学院
发明人张玉艳;陈阳春;赵琰;张小辉;高琳琳;马阳;高庆忠;林盛;于洪涛;王德君
代理机构沈阳技联专利代理有限公司代理人张志刚
摘要
磁流体填充晶体光纤环镜下温度和磁场同时检测的方法,涉及一种微型光电子检测的方法,在结构对称的光子晶体光纤的空气孔中选择性填充磁流体,选取水平方向中心行;光子晶体光纤的双折射特性随之改变,构成温度/磁场可调双折射光子晶体光纤;用该光纤取代Sagnac环镜中的常规双折射光纤,相邻两谐振谷之间间距和谐振谷漂移量均随温度和磁场变化而变化,且变化灵敏度各不相同,据此根据双参数矩阵法实现温度和磁场同时检测;该方法提高传感器的稳定性能和测量灵敏度,解决了光纤传感器的温度和磁场交叉敏感问题,实现和利用了一个光纤同时进行温度和磁场的测量。

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