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半导体元件的制造方法及半导体元件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110993602.1
  • IPC分类号:H01L21/78;H01L21/683
  • 申请日期:
    2018-03-27
  • 申请人:
    株式会社菲尔尼克斯
著录项信息
专利名称半导体元件的制造方法及半导体元件
申请号CN202110993602.1申请日期2018-03-27
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-23公开/公告号CN113690184A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/78IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3查看分类表>
申请人株式会社菲尔尼克斯申请人地址
日本东京八王子市别所1丁目42番地1、1-310 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社菲尔尼克斯当前权利人株式会社菲尔尼克斯
发明人荻原光彦
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司代理人杨文娟;臧建明
摘要
本发明的目的在于通过将半导体磊晶层接合于其他基板而使制造半导体元件的方法效率化。本发明的半导体元件的制造方法包括:形成作为薄膜的固定层的步骤,所述固定层将半导体薄膜层的与母材基板一侧为相反侧的主面的至少一部分与母材基板中的半导体薄膜层一侧的面的至少一部分结合;通过将半导体薄膜层或母材基板的一部分区域去除而形成空隙的步骤;在形成空隙后,在半导体薄膜层的主面将形成于拾取基板的有机材料层与固定层结合的步骤;在有机材料层结合于固定层的状态下将拾取基板沿与母材基板相离的方向移动,由此将半导体薄膜层自第一基板分离的步骤;以及将自母材基板分离后的半导体薄膜层接合于第二基板的步骤。本发明还提供一种半导体元件。

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