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一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510516409.3
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
  • 申请日期:
    2015-08-21
  • 申请人:
    中国东方电气集团有限公司
著录项信息
专利名称一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构
申请号CN201510516409.3申请日期2015-08-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-12-16公开/公告号CN105161520A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人中国东方电气集团有限公司申请人地址
四川省成都市金牛区蜀汉路333号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国东方电气集团有限公司当前权利人中国东方电气集团有限公司
发明人胡强;蒋兴莉;孔梓玮;王思亮;张世勇
代理机构成都天嘉专利事务所(普通合伙)代理人苏丹
摘要
本发明涉及半导体器件领域,具体为一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构,包括金属导电层,金属导电层的一侧设置有衬底,衬底上设置有多个沟槽,衬底的一侧设置有耗尽区,耗尽区一侧设置有电位V1,沟槽一侧的金属导电层上设置有电位V2;各沟槽内设置有沟槽导电填充物,在所述沟槽的侧壁和底部设置有绝缘层,各沟槽之间形成相互连接的感应电荷浓度增强区。本发明是通过器件结构设计来实现场截止的,彻底摆脱了现有技术所采用的掺杂方法所固有的扩散深度有限、高温过程影响器件其他结构以及工艺受限等缺点。并且本发明中的场截止功能是通过沟槽的场效应来实现的,该效应具有随电场增强而增强的自适应特性。

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