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碳包覆低熔点金属纳米材料的熔盐电化学制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011559154.6
  • IPC分类号:C25C5/04;B22F1/02;C23C8/20
  • 申请日期:
    2020-12-25
  • 申请人:
    武汉大学
著录项信息
专利名称碳包覆低熔点金属纳米材料的熔盐电化学制备方法
申请号CN202011559154.6申请日期2020-12-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-30公开/公告号CN112725843A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C25C5/04IPC分类号C;2;5;C;5;/;0;4;;;B;2;2;F;1;/;0;2;;;C;2;3;C;8;/;2;0查看分类表>
申请人武汉大学申请人地址
湖北省武汉市武昌区八一路299号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉大学当前权利人武汉大学
发明人肖巍;吕腾;周静
代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司代理人唐万荣;刘洋
摘要
本发明公开了一种碳包覆低熔点金属纳米材料的熔盐电化学制备方法,包括以下步骤:采用碳酸盐熔盐为电解质,在含二氧化碳的惰性气氛下,以低熔点金属为电极,先对其施加氧化电流,然后再施加还原电流,经洗涤及干燥后获得碳包覆低熔点金属球核的粉体。该方法步骤简单,反应条件温和且产物的形貌结构可通过反应时间、温度以及电解电流等参数调节。采用温室气体二氧化碳作为碳包覆原料,无需有机物作为碳源,可避免现有方法中有机物剧烈热解时过程难控及制备有机物所需额外工序。该方法的实施不仅可实现低熔点金属的改性及增值,同时可实现温室气体二氧化碳的减排与增值转化。

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