一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810813795.6
IPC分类号：H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86
申请日期：
2018-07-23
申请人：
哈尔滨工业大学

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专利名称	一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法
申请号	CN201810813795.6	申请日期	2018-07-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-12-11	公开/公告号	CN108987120A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G11/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G11/00 混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层（EDL）电容器；其制造方法或其零部件的制造方法〔2013.01〕 H01G11/22 电极〔2013.01〕 H01G11/24 以电极中材料组成或构成的结构特点为特征的，如形态、表面积或孔隙度；以为此使用的粉末或微粒的结构特点为特征的〔2013.01〕	IPC分类号	H;0;1;G;1;1;/;2;4;;;H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	孙晔;于登峰;于淼;赵公元;孙菲菲;李继伟;张弘;杜宝盛;姜波;李卓;杨彬;曹文武
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	贾泽纯

摘要

一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法，本发明涉及超级电容器电极材料技术领域。本发明要解决现有过渡金属硒化物纳米片电极材料结构不合理，若为超薄的纳米片结构，则无法具备多孔性，影响离子迁移率和可接触活性位点；若为多孔结构的纳米片，则受限于厚度太厚，接触活性位点少、储能低，导致电容性能偏低。方法：一、制备反应液；二、制备锰参杂的氢氧化镍纳米片阵列；三、硒化处理；四、酸刻蚀处理，即完成一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。本发明用于一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。

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