垂直腔表面发射激光器、装置、光学扫描设备和成像设备

发明专利无效专利

申请号：
CN200910141334.X
IPC分类号：H01S5/183;H01S5/02;H01S5/34;H01S5/06;H01S5/42;G02B26/12;B41J2/47;B41J2/455
申请日期：
2009-06-02
申请人：
株式会社理光

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	垂直腔表面发射激光器、装置、光学扫描设备和成像设备
申请号	CN200910141334.X	申请日期	2009-06-02
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2009-12-09	公开/公告号	CN101599616
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3;;;H;0;1;S;5;/;0;2;;;H;0;1;S;5;/;3;4;;;H;0;1;S;5;/;0;6;;;H;0;1;S;5;/;4;2;;;G;0;2;B;2;6;/;1;2;;;B;4;1;J;2;/;4;7;;;B;4;1;J;2;/;4;5;5查看分类表>
申请人	株式会社理光	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社理光	当前权利人	株式会社理光
发明人	原敬;上西盛圣
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	王冉

摘要

本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，VCSEL阵列装置，光学扫描设备和成像设备，其中VCSEL包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的下反射镜和台结构。台结构包括有源层、包括电流限制结构的可选择的氧化层和上反射镜。下电极连接到半导体衬底，上电极连接到上反射镜。当电流在上电极和下电极之间流动时，VCSEL发射垂直于半导体衬底的平面的激光。半导体衬底关于(100)平面倾斜。有源层包括相对于衬底具有压缩应变的量子阱层和间隔层。间隔层相对于半导体衬底具有压缩应变或者拉伸应变。

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