一种不对称半桥反激变换器及其实现方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110136468.3
IPC分类号：H02M3/335;H02M1/08
申请日期：
2021-02-01
申请人：
杭州电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种不对称半桥反激变换器及其实现方法
申请号	CN202110136468.3	申请日期	2021-02-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-08	公开/公告号	CN112928923A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M3/335 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M3/00 直流功率输入变换为直流功率输出 H02M3/22 带有中间变换为交流的 H02M3/24 用静态变换器的 H02M3/28 应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件产生中间交流电的 H02M3/325 应用需要连续使用控制信号的三极管或晶体管式的器件的〔2〕 H02M3/335 仅用半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;2;M;3;/;3;3;5;;;H;0;2;M;1;/;0;8查看分类表>
申请人	杭州电子科技大学	申请人地址	浙江省杭州市下沙高教园区二号路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州电子科技大学	当前权利人	杭州电子科技大学
发明人	谢小高;程之杰;董汉菁;李京蔚
代理机构	浙江永鼎律师事务所	代理人	陆永强

摘要

本发明公开了一种不对称半桥反激变换器及其实现方法，其中控制电路根据接收的不对称半桥反激谐振电路原边侧的电流采样信号和励磁电流模拟信号，或者二者相加或直接叠加产生的电流合成信号，计算励磁电流模拟信号与实际励磁电流之间的直流偏差，并对该偏差进行补偿；再根据电流合成信号补偿后的信号判断出所述不对称半桥反激谐振电路的输出电路中副边整流管电流区间及输出负载情况，产生相应的原边主开关的驱动信号和辅助开关的驱动信号，控制辅助开关的导通时间跟随副边整流管导通区间而变化。本发明根据检测的副边整流管电流过零点关断辅助开关管，并根据得到的负载电流值进行自适应降频，实现变换器全负载范围效率优化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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