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全包围栅极鳍式场效应晶体管结构制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610585546.7
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/423
  • 申请日期:
    2016-07-22
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称全包围栅极鳍式场效应晶体管结构制作方法
申请号CN201610585546.7申请日期2016-07-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-09-28公开/公告号CN105977163A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人鲍宇
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人智云
摘要
本发明提供了一种全包围栅极鳍式场效应晶体管结构制作方法,包括:在衬底上形成鳍结构,并且在衬底上沉积氧化硅层并且对氧化硅层进行表面平坦化直到露出硬质掩膜;对氧化硅层进行第一次氧化硅回刻,以暴露出上部鳍段;对上部鳍段的侧面及上表面进行非晶化离子注入,以便在上部鳍段的表面形成非晶硅层;对氧化硅层进行第二次氧化硅回刻,以进一步暴露出中部鳍段;以非晶硅层作为上部鳍段针对选择性湿法刻蚀的保护层,采用所述选择性湿法刻蚀去掉中部鳍段,而保留上部鳍段,由此形成悬空结构;去掉上部鳍段表面的非晶硅层。

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