一种层次化数字电路可靠性验证方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010375964.X
IPC分类号：G06F30/33;G06F119/02
申请日期：
2020-05-07
申请人：
大连理工大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种层次化数字电路可靠性验证方法
申请号	CN202010375964.X	申请日期	2020-05-07
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-08-18	公开/公告号	CN111553121A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/33	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;3;3;;;G;0;6;F;1;1;9;/;0;2查看分类表>
申请人	大连理工大学	申请人地址	辽宁省大连市甘井子区凌工路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连理工大学	当前权利人	大连理工大学
发明人	常玉春;刘岩;马艳华;娄珊珊;杨刚;宋辰昱
代理机构	大连格智知识产权代理有限公司	代理人	刘琦

摘要

本发明涉及电路可靠性验证领域，提供一种层次化数字电路可靠性验证方法，包括：在BSIM3v3模型中，由mosfet晶体管受HCI、NBTI和TDDB效应影响的阈值电压漂移△Vth的计算公式，形成能够评估mosfet晶体管性能变化情况的新BSIM3v3模型；再利用SPICE仿真器调用新BSIM3v3模型对只含有一个mosfet晶体管的电路进行仿真，从而产生退化的mosfet晶体管模型文件；在退化的mosfet晶体管模型文件的基础上经由单元库表征工具提取出退化的数字单元库；最后基于退化的数字单元库对数字电路进行分析，实现对大规模数字电路性能退化的预测。本发明能够节省大规模数字电路可靠性验证的时间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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