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双栅全耗尽SOI CMOS器件及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710063371.4
IPC分类号：H01L27/12;H01L21/84
申请日期：
2007-01-10
申请人：
中国科学院微电子研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	双栅全耗尽SOI CMOS器件及其制备方法
申请号	CN200710063371.4	申请日期	2007-01-10
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-07-16	公开/公告号	CN101221957
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	海潮和;毕津顺;孙海峰;韩郑生;赵立新
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域，公开了一种双栅全耗尽SOICMOS器件，该器件包括硅衬底、埋氧层和形成在顶层硅膜中的n型沟道场效应晶体管、p型沟道场效应晶体管及器件介质隔离。本发明同时公开了一种制备双栅全耗尽SOICMOS器件的方法。利用本发明，提高了源漏击穿电压和沟道区载流子迁移率，降低了工艺复杂程度和器件性能的波动。

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