基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统

发明专利无效专利

申请号：
CN201218000448.5
IPC分类号：G01R31/302;G01N23/00
申请日期：
2012-03-01
申请人：
西北核技术研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统
申请号	CN201218000448.5	申请日期	2012-03-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/302 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/28 电路的测试，例如用信号故障寻测器（在准备运算或空闲时间期间内测试计算机入G06F11/22） G01R31/302 无触点测试〔5〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;3;0;2;;;G;0;1;N;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	西北核技术研究所	申请人地址	陕西省西安市灞桥区平峪路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西北核技术研究所	当前权利人	西北核技术研究所
发明人	齐超;陈伟;林东生;王桂珍;杨善潮;李瑞宾
代理机构	西北工业大学专利中心	代理人	王鲜凯

摘要

本发明涉及一种基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统，采用可在线初始化外围测试电路的FPGA瞬时电离辐射效应测试系统，该系统基于辐射回避原理，能够规避瞬时电离辐射环境中脉冲干扰对外围测试电路的影响，并在辐射回避结束、系统重新上电后完成对FPGA的效应测试，适用于瞬时电离辐射效应测试。本发明提出一种基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统，实现了系统的辐射回避、保证了系统初始化的可靠性，成功实现了瞬时电离辐射环境中对FPGA准确、可靠的测试。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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