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用于制造半导体器件的方法和薄膜半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200680028708.1
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2006-08-04
  • 申请人:
    奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
著录项信息
专利名称用于制造半导体器件的方法和薄膜半导体器件
申请号CN200680028708.1申请日期2006-08-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2008-08-06公开/公告号CN101238593
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司申请人地址
德国雷根斯堡 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司当前权利人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人西格弗里德·赫尔曼;贝特霍尔德·哈恩
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李德山;李春晖
摘要
本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法,其中在生长衬底(1)上构建包含半导体材料的层复合结构(6),将柔性的支承体层(2)施加到所述层复合结构(6)上,将柔性的层硬化为自支承的支承体层(2),以及将生长衬底(1)剥离。替代地,支承体层(2)可以具有基本层(2b)和粘附在层复合结构上的粘附层(2a)。

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