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具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201020603831.5
  • IPC分类号:H01L31/078;H01L31/0352
  • 申请日期:
    2010-11-11
  • 申请人:
    陈哲艮
著录项信息
专利名称具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池
申请号CN201020603831.5申请日期2010-11-11
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/078
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;7;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2查看分类表>
申请人陈哲艮申请人地址
浙江省上虞市经济开发区通江西路218号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江晶盛机电股份有限公司当前权利人浙江晶盛机电股份有限公司
发明人陈哲艮
代理机构杭州丰禾专利事务所有限公司代理人王从友
摘要
本实用新型涉及新能源领域,尤其涉及一种硅基太阳电池及其制备方法。具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池,该太阳电池包括晶体硅硅片、硅基半导体膜、透明导电膜、正面金属电极和背面金属电极,所述的晶体硅硅片为单晶硅片或多晶硅片,在晶体硅硅片的正面或背面采用扩散法形成所述的同质结,同质结为PN结、PP-、PP+、NN-或NN+浓度结;晶体硅硅片的正面设有所述的硅基半导体膜,硅基半导体膜为硅、硅/锗或碳化硅材料的非晶膜或纳米晶膜,硅基半导体膜与具有同质结的晶体硅硅片表层之间形成所述的异质结。本实用新型的太阳电池在获得高转换效率和性价比的同时,改善电池光电性能的一致性与稳定性。

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