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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种耐高压半导体器件

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201420303995.4
  • IPC分类号:H01L29/861;H01L29/06
  • 申请日期:
    2014-06-09
  • 申请人:
    苏州市职业大学
著录项信息
专利名称一种耐高压半导体器件
申请号CN201420303995.4申请日期2014-06-09
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/861
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人苏州市职业大学申请人地址
江苏省苏州市吴中区国际教育园致能大道106号苏州市职业大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州市职业大学当前权利人苏州市职业大学
发明人陈伟元
代理机构苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘艳春
摘要
本实用新型涉及一种耐高压半导体器件,包括上台体和与上台体底面面接触的下台体,重掺杂N型区位于轻掺杂N型区正上方并形成第一接触面,所述重掺杂P型区位于轻掺杂P型区正下方并形成第二接触面,所述上台体的轻掺杂N型区与下台体的轻掺杂P型区接触形成PN结接触面且其位于轻掺杂P型区正上方,所述第一接触面为上凸面,第二接触面为下凹面;轻掺杂N型区与重掺杂N型区接触的上部区域且位于第一轻掺杂N型区边缘的四周区域具有中掺杂N型区,轻掺杂P型区与重掺杂P型区接触的下部区域且位于轻掺杂P型区边缘的四周区域具有中掺杂P型区。本实用新型提高了器件耐高温性能,降低了在边缘处电场强度梯度,从而提高了器件耐压性能。

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