一种新型微缩化LED结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710203779.0
IPC分类号：H01L33/50;H01L33/00;H01L27/15
申请日期：
2017-03-30
申请人：
广东普加福光电科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种新型微缩化LED结构及其制备方法
申请号	CN201710203779.0	申请日期	2017-03-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-20	公开/公告号	CN106876562A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/50 波长转换元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5查看分类表>
申请人	广东普加福光电科技有限公司	申请人地址	广东省江门市江海区汇源街1号307-316室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东普加福光电科技有限公司	当前权利人	广东普加福光电科技有限公司
发明人	邵根荣;李阳
代理机构	广州骏思知识产权代理有限公司	代理人	潘雯瑛

摘要

本发明涉及一种新型微缩化LED结构及其制备方法。该新型微缩化LED结构包括微缩化蓝光LED芯片和光转换膜；所述光转换膜覆盖于所述微缩化蓝光LED芯片表面；所述光转换膜含有红色和绿色发光材料。该新型微缩化LED结构的制备方法包括以下步骤：将红色和绿色发光材料涂覆于透明基板上，制得光转换膜；将磊晶完成的蓝光LED芯片转移至薄膜晶体管驱动面板上，制得微缩化蓝光LED芯片；再将所述光转换膜覆盖于所述微缩化蓝光LED芯片表面，并进行封装。本发明在实现微缩化LED全彩显示时，只需将磊晶层单色蓝光微缩化LED芯片从基板剥离并转移至TFT驱动面板上即可，而无需再对红色和绿色微缩化LED芯片进行大规模转移，大大降低了微缩化LED全彩显示的制程困难。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供