双掺镱钠离子钼酸锶激光晶体及其制备方法

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双掺镱钠离子钼酸锶激光晶体及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:CN200710009975.0
  • 申请人:中国科学院福建物质结构研究所
  • 申请日:2007-12-11
  • 主分类号:C30B29/32
  • 公开(公告)日:2009-06-17
  • 公开/公告号:CN101457398
申请同类专利

摘要:双掺镱钠离子钼酸锶激光晶体及其制备方法,涉及人工晶体领域。采用提拉法,生长温度1200℃,10~30转/分钟的晶体转速,0.1~0.5毫米/小时的拉速,生长出了高光学质量、较大尺寸的Na+/Yb3+:SrMoO4晶体。该晶体属四方晶系,空间群为I4(1)/a,光谱分析表明,该晶体具有宽的吸收和发射线宽,适合于采用LD泵浦,可作为可调谐和飞秒脉冲激光晶体,产生1020nm左右波长的激光输出。

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