一种硅片减薄后的清洗工艺

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一种硅片减薄后的清洗工艺

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201811565492.3
  • 申请人:天津中环领先材料技术有限公司
  • 申请日:2018-12-20
  • 主分类号:B08B3/08
  • 公开(公告)日:2019-04-26
  • 公开/公告号:CN109675858A
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摘要:本发明提供了一种硅片减薄后的清洗工艺,包括如下清洗步骤:酸溶液清洗、NH4OH和H2O2混合溶液清洗、碱溶液清洗、NH4OH和H2O2混合溶液清洗。本发明工艺方法可以有效去除硅片表面金属,防止杂质碱腐蚀后形成污渍残留硅片表面,通过碱溶液与硅粉作用能够有效的去除硅渣沉积。

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