一种水平定向区熔结晶制备法中的单晶生长炉用水平箱式发热体

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一种水平定向区熔结晶制备法中的单晶生长炉用水平箱式发热体

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201510377295.9
  • 申请人:哈尔滨工业大学
  • 申请日:2015-07-01
  • 主分类号:C30B13/20
  • 公开(公告)日:2015-10-07
  • 公开/公告号:CN104962987A
委托购买

摘要:一种水平定向区熔结晶制备法中的单晶生长炉用水平箱式发热体,它涉及水平定向区熔结晶制备法单晶生长炉用水平箱式发热体。它包括上层和下层,上下两层共同形成一个前后两侧开口的空间,下层为4个平行设置的钨管体,每个钨管体的两端的端头分别与支架一垂直连接,每个钨管体的端头处的上端面分别通过支架二与上层垂直连接;其材质大部分为钨,通电后可以对加热体内的物质进行加热。而水平定向区熔结晶制备法单晶生长炉用水平箱式发热体改进的地方主要是形貌的改变,由圆筒形或笼状改为水平箱式,可以部分解决现有发热体长时间加热导致发热体变形的缺陷,并能契合要加热物质的形状。

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