一种具有线性缓冲层的SOI超结LDMOS制作方法

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一种具有线性缓冲层的SOI超结LDMOS制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:CN201010234294.6
  • 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司
  • 申请日:2010-07-22
  • 主分类号:H01L21/336
  • 公开(公告)日:2010-12-15
  • 公开/公告号:CN101916730A
申请同类专利

摘要:本发明公开了一种具有线性缓冲层的SOI超结LDMOS制作方法,该方法通过计算缓冲层杂质浓度,制作缓冲层掺杂版图,从而利用离子注入制作出杂质在横向上近似线性分布的缓冲层,然后在制作有缓冲层的SOI衬底上外延单晶硅至器件所需厚度,在缓冲层旁形成p阱体区,随后在p阱体区上制作栅区、源区、体接触区,并在缓冲层上制作漂移区和漏区,使所述漂移区位于所述p阱体区与漏区之间。该制作方法通过在超结下面引入一层杂质浓度在横向上近似线性分布的缓冲层,补偿纵向电场的剩余电荷,进而可消除衬底辅助耗尽效应对SOI超结LDMOS漂移区电荷分布的影响,提高器件击穿电压。

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