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极紫外光刻掩模及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110161550.1
IPC分类号：G03F1/22;G03F1/24;G03F1/76;G03F1/80
申请日期：
2021-02-05
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	极紫外光刻掩模及其制造方法
申请号	CN202110161550.1	申请日期	2021-02-05
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-29	公开/公告号	CN113050360A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/22 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/22 用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外〔EUV〕掩膜；其制备〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;2;2;;;G;0;3;F;1;/;2;4;;;G;0;3;F;1;/;7;6;;;G;0;3;F;1;/;8;0查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	郑文豪
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

本发明的实施例涉及EUV光刻掩模及其制造方法。EUV光刻掩模，包括低热膨胀材料的衬底、衬底上方的第一反射多层和第一反射多层上方的图案化反射多层。图案化反射多层包括穿过图案化反射多层的沟槽。第一反射多层和图案化反射多层中的每一层都包括膜对的堆叠。

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