加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

高功率芯片老化验证装置

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201320738895.X
  • IPC分类号:G01R31/28
  • 申请日期:
    2013-11-20
  • 申请人:
    宜硕科技(上海)有限公司
著录项信息
专利名称高功率芯片老化验证装置
申请号CN201320738895.X申请日期2013-11-20
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R31/28IPC分类号G;0;1;R;3;1;/;2;8查看分类表>
申请人宜硕科技(上海)有限公司申请人地址
上海市闵行区宜山路1618号8幢C101室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宜硕科技(上海)有限公司,宜特(上海)检测技术有限公司当前权利人宜硕科技(上海)有限公司,宜特(上海)检测技术有限公司
发明人黄小玲
代理机构上海唯源专利代理有限公司代理人曾耀先
摘要
本实用新型公开了一种高功率芯片老化验证装置,包括一测试插座,所述测试插座连接所述芯片的测试端,所述芯片上连接有一温度控制装置,所述温度控制装置包括一控制单元以及连接所述控制单元的加热器和散热器,所述控制单元连接所述芯片本实用新型的高功率芯片老化验证装置通过在芯片上连接一温度控制装置,对芯片的温度进行监控,当芯片温度低于设定温度时,加热器工作,风扇不工作,起到单独加热的作用;当芯片温度高于设定温度时,加热器停止工作,风扇工作,起到单独散热作用。从而使得具有功耗差异的芯片能够在统一的温度条件下进行老化,得出准确的结果。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供