沟槽式功率器件中沟槽底部厚栅氧化层的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010528430.2
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/283
申请日期：
2010-11-02
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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著录项信息

专利名称	沟槽式功率器件中沟槽底部厚栅氧化层的形成方法
申请号	CN201010528430.2	申请日期	2010-11-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-16	公开/公告号	CN102456561A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;3查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	冯大贵
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	王函

摘要

本发明公开了一种沟槽式功率器件中沟槽底部厚栅氧化层的形成方法，包括如下步骤：第一步，在硅基板上依次生长底层二氧化硅、中间氮化硅和顶层二氧化硅，形成ONO薄膜；第二步，深沟槽光刻以及干法刻蚀ONO薄膜；第三步，去除光阻以及湿法清洗；第四步，深沟槽干法刻蚀；第五步，刻蚀后湿法清洗及沟槽圆滑处理；第六步，在圆滑的沟槽内生长栅氧化层，然后在全硅片上生长氮化硅薄膜；第七步，干法过刻蚀去除沟槽底部和表面的氮化硅以及顶层二氧化硅；第八步，生长厚栅氧化层；第九步，去除沟槽侧壁以及表面的氮化硅。本发明通过增加沟槽底部栅氧化层的厚度可以降低电容，从而提高沟槽式功率器件的开关速度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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