一种p型掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610339077.0
IPC分类号：C23C14/08;C23C14/34
申请日期：
2016-05-20
申请人：
郑州大学

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专利名称	一种p型掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法
申请号	CN201610339077.0	申请日期	2016-05-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-08-31	公开/公告号	CN105908127A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/06 以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕 C23C14/08 氧化物（C23C 14/10优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人	郑州大学	申请人地址	河南省郑州市科学大道100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	郑州大学	当前权利人	郑州大学
发明人	邵国胜;郭美澜;韩小平;胡俊华
代理机构	郑州睿信知识产权代理有限公司	代理人	牛爱周

摘要

本发明公开了一种p型掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法，该透明导电膜由以下原子数百分比的组分组成：O62％～70％，其余为Sn和掺杂元素；所述掺杂元素为B、Al、Ga、In、Zn中的任意一种或多种，掺杂元素的原子数为Sn与掺杂元素原子总数的3％～6％。本发明的p型掺杂二氧化锡透明导电膜，采用B、Al、Ga、In、Zn中的任意一种或多种掺杂二氧化锡，形成的透明导电膜为稳定p型半导体，平均可见光透过率达80％以上，最优电阻率可达10‑4Ω.cm，其成分简单，光电性能优异，制备工艺灵活，易于生产，可广泛应用于太阳能电池、功能窗户等多种光电器件，市场前景广阔。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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