电学感应源漏扩展区MOS晶体管及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03142614.X
IPC分类号：--
申请日期：
2003-06-03
申请人：
北京大学

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著录项信息

专利名称	电学感应源漏扩展区MOS晶体管及其制作方法
申请号	CN03142614.X	申请日期	2003-06-03
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2004-02-25	公开/公告号	CN1477719
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,北京大学	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,北京大学
发明人	刘文安;刘金华;黄如;张兴
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所	代理人	余长江

摘要

本发明提供了一种感应源漏扩展区MOS晶体管结构及其制备方法。该结构采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极；感应源漏扩展区是利用倒置多晶硅电学感应产生，同时沟道区利用倒置多晶硅侧墙形成；栅电极和倒置多晶硅侧墙之间有二氧化硅隔离层；栅极和倒置多晶硅侧墙下面均有氧化层；沟道区和感应源漏扩展区独立掺杂。采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极，解决了缩短电学感应源漏扩展区长度的困难；采用沟道区和感应源漏扩展区独立掺杂，实现了沟道区和感应源漏扩展区各自阈值电压的优化。其制备是利用倒置多晶硅侧墙图形转移实现沟道区和利用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅电极实现电学感应源漏扩展区，从而最终实现MOS器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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